[한국공학대학교] 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법

기술명	질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법
기술보유기관	한국공학대학교
출원번호	10-2019-0062672(2019.05.28.)
등록번호	10-2211209(2021.01.27.)
기술완성도	TRL 3
적용분야	고출력 고주파 전자소자, 광검출용 전자소자
기술분야	재료
문의처	02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr
첨부파일	한국공학대학교_질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법.pdf PDF 다운로드 • 288KB

○ 기술개요

• 질화알루미늄(AIN) 기반 트랜지스터에 관한 것으로서, 이동도 특성을 향상시킬 수 있는 AIN 버퍼층 기반의 고전자이동도 트랜지스터에 관한 기술임

• 질화알루미늄(AIN) 가반의 HEMT 소자는, 삽입된 AIGaN 조성변화층에 의해 GaN/AIN 구조에서 발생하는 압축응력으로 인한 GaN의 품질 저하를 방지하고 고품질의 GaN 박막이 형성되도록 함

○ 기술특징

1. 기존 기술의 한계

• GaN/AIN 계면의 큰 음의 분극전하로 인하여 높은 밀도의 2DHG이 발생함으로써, 2DEG 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 주어 2DEG 층의 이동도를 저하시키는 문제점이 있음

  2.  본 기술의 우위성

• 질화알루미늄 기반의 HEMT소자는 AIN 버퍼층을 사용하되 GaN/AIN 계면에 AIGaN 조성변화 층이 삽입된 구조로서, 2DHG의 생성 정도를 제거 또는 억제하여 2DEG층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG의 이동도를 향상시킴