기술명 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2019-0062672(2019.05.28.) |
등록번호 | 10-2211209(2021.01.27.) |
기술완성도 | TRL 3 |
적용분야 | 고출력 고주파 전자소자, 광검출용 전자소자 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
질화알루미늄(AIN) 기반 트랜지스터에 관한 것으로서, 이동도 특성을 향상시킬 수 있는 AIN 버퍼층 기반의 고전자이동도 트랜지스터에 관한 기술임
질화알루미늄(AIN) 가반의 HEMT 소자는, 삽입된 AIGaN 조성변화층에 의해 GaN/AIN 구조에서 발생하는 압축응력으로 인한 GaN의 품질 저하를 방지하고 고품질의 GaN 박막이 형성되도록 함
○ 기술특징
기존 기술의 한계
GaN/AIN 계면의 큰 음의 분극전하로 인하여 높은 밀도의 2DHG이 발생함으로써, 2DEG 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 주어 2DEG 층의 이동도를 저하시키는 문제점이 있음
2. 본 기술의 우위성
질화알루미늄 기반의 HEMT소자는 AIN 버퍼층을 사용하되 GaN/AIN 계면에 AIGaN 조성변화 층이 삽입된 구조로서, 2DHG의 생성 정도를 제거 또는 억제하여 2DEG층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG의 이동도를 향상시킴
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