[한국공학대학교] 적층 결합이 없는 질화물 반도체 상의 고품질 반도체 소자의 제조 방법

기술명	적층 결합이 없는 질화물 반도체 상의 고품질 반도체 소자의 제조 방법
기술보유기관	한국공학대학교
출원번호	10-2011-0145408(2011.12.29.)
등록번호	10-1402785(2014.05.27.)
기술완성도	TRL 5
적용분야	반도체 소자
기술분야	재료
문의처	02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr
첨부파일	한국공학대학교_적층 결합이 없는 질화물 반도체 상의 고품질 반도체 소자의 제조 방법 . 다운로드 • 298KB

○ 기술개요

• 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결합이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법

○ 기술특징

1. 기존 기술 대비 특•장점

• 한번의 ELO 공정을 진행하여도 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 머스크에 의한 적층 결함의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부 양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조하는 것을 특징으로 함