기술명 | 저저항 발광 다이오드 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2020-0112228(2020.09.03.) |
등록번호 | 10-2375592(2022.03.14.) |
기술완성도 | TRL 5 |
적용분야 | 조명, 가전제품, 전자제품 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
본 기술은 발광 다이오드에 관한 것으로, 복수개의 항복 유도 전도성 채널을 갖는 저저항 발광 다이오 기술임
항복 유도 전도성 채널이 포함된 발광 다이오드의 저항을 감소시켜, 기존의 메사 구조를 갖는 n-p형 발광 다이오드와 유사한 저항을 갖는 발광 다이오드를 제공함
○ 기술특징
기존 기술의 한계
최근에는 n형 전극을 사용하지 않고 다이오드의 역방향 항복 현상을 이용한 항복 유도 전도성 채널을 이용하여 p형 전극으로만 형성된 p-p 전극형 발광 다이오드가 연구되었으며, p-p 전극형 발광 다이오드가 n-p형 발광 다이오드에 비해 매우 높은 저항을 갖기 때문에 저항을 낮출 수 있는 기술의 필요성이 대두됨
2. 본 기술의 우위성
기존의 p-p 전극형 발광 다이오드 및 n-n 전극형 발광 다이오드에 다수의 항복 유도 전도성 채널을 이용하여, 저항을 감소시켜 n-p 전극형 발광 다이오드와 유사한 저항을 가질 수 있음
항복 유도 전도성 채널의 개수가 증가함에 따라 출력 효율 및 전압 효율이 증가함
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