[한국공학대학교] 저저항 발광 다이오드

기술명	저저항 발광 다이오드
기술보유기관	한국공학대학교
출원번호	10-2020-0112228(2020.09.03.)
등록번호	10-2375592(2022.03.14.)
기술완성도	TRL 5
적용분야	조명, 가전제품, 전자제품
기술분야	재료
문의처	02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr
첨부파일	한국공학대학교_저저항 발광 다이오드pdf. 다운로드 • 259KB

○ 기술개요

• 본 기술은 발광 다이오드에 관한 것으로, 복수개의 항복 유도 전도성 채널을 갖는 저저항 발광 다이오 기술임

• 항복 유도 전도성 채널이 포함된 발광 다이오드의 저항을 감소시켜, 기존의 메사 구조를 갖는 n-p형 발광 다이오드와 유사한 저항을 갖는 발광 다이오드를 제공함

○ 기술특징

1. 기존 기술의 한계

• 최근에는 n형 전극을 사용하지 않고 다이오드의 역방향 항복 현상을 이용한 항복 유도 전도성 채널을 이용하여 p형 전극으로만 형성된 p-p 전극형 발광 다이오드가 연구되었으며, p-p 전극형 발광 다이오드가 n-p형 발광 다이오드에 비해 매우 높은 저항을 갖기 때문에 저항을 낮출 수 있는 기술의 필요성이 대두됨

  2.  본 기술의 우위성

• 기존의 p-p 전극형 발광 다이오드 및 n-n 전극형 발광 다이오드에 다수의 항복 유도 전도성 채널을 이용하여, 저항을 감소시켜 n-p 전극형 발광 다이오드와 유사한 저항을 가질 수 있음

• 항복 유도 전도성 채널의 개수가 증가함에 따라 출력 효율 및 전압 효율이 증가함