top of page

[한국공학대학교] 저저항 발광 다이오드

최종 수정일: 2024년 5월 27일


술명

저저항 발광 다이오드

기술보유기관

한국공학대학교

출원번호

10-2020-0112228(2020.09.03.)

등록번호

10-2375592(2022.03.14.)

기술완성도

TRL 5

적용분야

조명, 가전제품, 전자제품

기술분야

재료

문의처

02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr

첨부파일


○ 기술개요

  • 본 기술은 발광 다이오드에 관한 것으로, 복수개의 항복 유도 전도성 채널을 갖는 저저항 발광 다이오 기술임

  • 항복 유도 전도성 채널이 포함된 발광 다이오드의 저항을 감소시켜, 기존의 메사 구조를 갖는 n-p형 발광 다이오드와 유사한 저항을 갖는 발광 다이오드를 제공함


○ 기술특징

  1. 기존 기술의 한계

  • 최근에는 n형 전극을 사용하지 않고 다이오드의 역방향 항복 현상을 이용한 항복 유도 전도성 채널을 이용하여 p형 전극으로만 형성된 p-p 전극형 발광 다이오드가 연구되었으며, p-p 전극형 발광 다이오드가 n-p형 발광 다이오드에 비해 매우 높은 저항을 갖기 때문에 저항을 낮출 수 있는 기술의 필요성이 대두됨


  2.  본 기술의 우위성

  • 기존의 p-p 전극형 발광 다이오드 및 n-n 전극형 발광 다이오드에 다수의 항복 유도 전도성 채널을 이용하여, 저항을 감소시켜 n-p 전극형 발광 다이오드와 유사한 저항을 가질 수 있음

  • 항복 유도 전도성 채널의 개수가 증가함에 따라 출력 효율 및 전압 효율이 증가함

 
 
 

최근 게시물

전체 보기

Comments


(주)​이산컨설팅그룹

대표 : 권혁 / 김승군 / 윤재성     사업자등록번호 : 330-87-00445     (08501) 서울특별시 금천구 가산디지털1로 225, 가산에이스포휴 1309호

Tel : 02-6274-5603     Fax : 02-6933-5778     Email : escho@isan.co.kr

Copyright 2024. ISANConsulting group. All Rights Reserved.

bottom of page