[한국공학대학교] 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드
- escho2
- 2024년 5월 23일
- 1분 분량
최종 수정일: 2024년 5월 27일
기술명 | 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2013-0043944(2013.04.22.) |
등록번호 | 10-1580213(2015.11.20.) |
기술완성도 | TRL 5 |
적용분야 | 반도체 공정, 살균, 미소한 화학 물질 검출, 인간 게놈 분석, 심장 치료, 광촉매 살균, 조명, 위폐 감별기, 치아 미백, UV경화 코팅 등 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 3% 이상의 면적에만 증착시키고, p-전극 상에 본딩 패드를 더 형성하여, p-전극간의 간격이 상기 본딩 패드를 중심으로 방사형으로 커지도록 형성하며, 본딩 패드와 인접한 곳에 위치한 p-전극의 폭을 다른 부분에 위치한 p-전극의 폭보다 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 함
○ 기술특징
1. 기존 기술 대비 특•장점
n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층된 질화물질계 반도체층 및 p-전극, n-전극을 포함하는 질화물 반도체 기반 자외선 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, p-전극은 Ag, Ni, Pd, In, Zn, Mg, Pt 중 하나의 금속으로 형성하고, p형 클래드층 상에 빔을 이용하여 선택적으로 증착시키되, p-전극의 폭을 5nm ~ 100㎛으로, p-전극의 두께를 30nm 내지 50㎛로 하는 매쉬 형태로 형성하여, p형 클래드층의 상부면적의 70% 이하 3% 이상의 면적에만 증착시키고, p-전극 상에 본딩 패드를 더 형성하여, p-전극간의 간격이 본딩 패드를 중심으로 방사형으로 커지도록 형성하며, 본딩 패드와 인접한 곳에 위치한 p-전극의 폭을 다른 부분에 위치한 P-전극의 폭보다 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 함
Comments