기술명 | 양자섬을 삽입한 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2013-0054465(2013.05.14) |
등록번호 | 10-1471225(2014.12.04.) |
기술완성도 | TRL 5 |
적용분야 | 전자 메모리, 반도체 레이저•광증폭기, 디스플레이 등 광학소자 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬을 삽입한 후 저결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부 양자효율이 향상된 고품질 반도체 소작가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법
○ 기술특징
기존 기술대비 특•장점
종래에는 제1 질하물 반도체층 위에 다수의 양자점이 형성된 소정의 경사각을 갖는 활성층을 형성하는 경우에 양자점이 안정적으로 내장되어 효과적으로 결정 결함을 차단하나 고품질을 가지는 반도체 소장용 기판을 구성하기에는 어려운 문제점이 있었으나 해당 방법은 사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬을 삽입하여 기판고의 격자 부정합이나 구성 원소간의 열팽창계수 차이에 의한 선 결함 들의 결정 겨함이 차단되도록 함으로써 저 결함밀도의 재성장된 질화물 반도체층을 갖는 템플레이트층을 형성하고, 이를 이용하여 내부양자효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법을 제공하는 특징이 있음
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