[한국공학대학교] 분극에 의한 계면의 고이동도 이차원 전하를 형성하는 방법

기술명	분극에 의한 계면의 고이동도 이차원 전하를 형성하는 방법
기술보유기관	한국공학대학교
출원번호	10-2019-0103115(2019.08.22.)
등록번호	10-2272513(2021.06.28.)
기술완성도	TRL 3
적용분야	반도체 소자
기술분야	재료
문의처	02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr
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○ 기술개요

• 본 기술은 분극에 의한 계면에서의 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성하는 층구조물 제작 방법과 이를 이용한 다이아몬드-반도체 접합 소자에 관한 것임

• 분극 현상을 이용한 새로운 다이아몬드 도핑 기술에 관한 기술로서, 분극에 의한 계면에서의 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성하는 층구조물 제작 방법을 제공함

○ 기술특징

1. 기존 기술의 한계

• 기존의 다이아몬드 N형 도핑은 인(P)의 매우 높은 Ea(0.6 eV)로 인하여 도핑이 더욱 어렵다는 문제점이 있음

• 다이아몬드를 반도체 소자로 활용하기 위하여 안정성을 갖는 p형 또는 n형의 다이아몬드 도핑 기술이 필요한 실정

  2.  본 기술의 우위성

• 단결정 다이아몬드가 가지는 우수한 열전도도, 전열파괴강도 등과 함께 실리콘 소자나 3-5족/2-6족 화합물 반도체 소자를 대체할 수 있는 고성능 소자로서 활용될 수 있음

• 2차원 전하 형성 방법은 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성함