기술명 | 분극에 의한 계면의 고이동도 이차원 전하를 형성하는 방법 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2019-0103115(2019.08.22.) |
등록번호 | 10-2272513(2021.06.28.) |
기술완성도 | TRL 3 |
적용분야 | 반도체 소자 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
본 기술은 분극에 의한 계면에서의 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성하는 층구조물 제작 방법과 이를 이용한 다이아몬드-반도체 접합 소자에 관한 것임
분극 현상을 이용한 새로운 다이아몬드 도핑 기술에 관한 기술로서, 분극에 의한 계면에서의 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성하는 층구조물 제작 방법을 제공함
○ 기술특징
기존 기술의 한계
기존의 다이아몬드 N형 도핑은 인(P)의 매우 높은 Ea(0.6 eV)로 인하여 도핑이 더욱 어렵다는 문제점이 있음
다이아몬드를 반도체 소자로 활용하기 위하여 안정성을 갖는 p형 또는 n형의 다이아몬드 도핑 기술이 필요한 실정
2. 본 기술의 우위성
단결정 다이아몬드가 가지는 우수한 열전도도, 전열파괴강도 등과 함께 실리콘 소자나 3-5족/2-6족 화합물 반도체 소자를 대체할 수 있는 고성능 소자로서 활용될 수 있음
2차원 전하 형성 방법은 우수한 안정성을 갖는 고이동도 2차원 전자가스층 및 2차원 정공가스층을 형성함
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