기술명 | 다이아몬드 기판 제조 방법 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2019-0088718(2019.07.23.) |
등록번호 | 10-2230458(2021.03.16.) |
기술완성도 | TRL 4 |
적용분야 | 반도체 소자 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
고품질의 단걀정 다이아몬드 기판을 이종 성장하여 자가 분리시키는 단결정 다이아몬드 기판의 제조 방법에 관한 기술
사파이어 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리하여, 하부기판의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시킴
○ 기술특징
기존 기술의 한계
현재 반도체 소자용 단결정 다이아모드의 성장은 고온•고압법을 사용하며, 이 방식은 매우 작은 크기의 다이아몬드만을 획득할 수 있어 많은 비용이 요구됨
이종기판과의 격자상수 및 열팽창 계수 차이에 의해 큰 용력이 도입되어 온도 하강 시 많은 결함과 크랙을 유발함
2. 본 기술의 우위성
본 기술은 간단한 공정과 저비용의 성장법을 적용하여, 이종기판과의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 용력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시킴
이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있음
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