기술명 | 다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성 반극성 소자 및 그 제조 방법 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-2009-0098521(2009.10.16.) |
등록번호 | 10-1082788(2011.11.07.) |
기술완성도 | TRL 5 |
적용분야 | 반도체 소자 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
영비극성•반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화뭉 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상을 제거하고, 사파이어 기판 위에 다공성 질화물 반도체층을 형성한 후 그 위로 질화물 반도체층을 재성장시켜 GnN층의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성•반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
○ 기술특징
기존 기술 대비 특•장점
극성 GaN 질화물 반도체에서 발생하는 압전현상을 제거하기 위하여 비극성•반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하되, 사파이어 기판 위의 템플레이트 층에 형성된 다공성 GaN 층 위로 층을 재성장시켜 표면 형상을 향상시키고 GaN층의 결함을 감소시킴으로써 결정품질을 향상시키는 특징이 있음
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