[한국공학대학교] 다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성 반극성 소자 및 그 제조 방법

기술명	다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성 반극성 소자 및 그 제조 방법
기술보유기관	한국공학대학교
출원번호	10-2009-0098521(2009.10.16.)
등록번호	10-1082788(2011.11.07.)
기술완성도	TRL 5
적용분야	반도체 소자
기술분야	재료
문의처	02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr
첨부파일	한국공학대학교_ 다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성 반극성 소자 및 그 제조 방법. 다운로드 • 295KB

○ 기술개요

• 영비극성•반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화뭉 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상을 제거하고, 사파이어 기판 위에 다공성 질화물 반도체층을 형성한 후 그 위로 질화물 반도체층을 재성장시켜 GnN층의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성•반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법

○ 기술특징

1. 기존 기술 대비 특•장점

• 극성 GaN 질화물 반도체에서 발생하는 압전현상을 제거하기 위하여 비극성•반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하되, 사파이어 기판 위의 템플레이트 층에 형성된 다공성 GaN 층 위로 층을 재성장시켜 표면 형상을 향상시키고 GaN층의 결함을 감소시킴으로써 결정품질을 향상시키는 특징이 있음