[한국공학대학교] 고효율 용자 발광 다이오드 에피구조

최종 수정일: 5월 27일

○ 기술개요

금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이, 밴드 갭 에너지가 큰 AIGaN 등 금속 전극과 접촉되도록 하여 금속 전극과 접촉되는 층에서 자외선 흡수없이 투과량을 높여 광추출 효율을 향상시키기 위한 자외선 발광 다이오드의 에피구조를 제공함

○ 기술특징

전압을 인가하기 위한 두 전극 사이에 순차 적층된 질화물로 이루어진 n형 질화물층과 활성층 및 p형 질화물층 및 n형보다 불순물 농도가 높은 n+형 질화물층을 포함하며, 활성층은 배리어층과 양자 우물층이 한번 이상 반복 형성되며, p형 질화물층은 적층 방향으로 AI이나 In 농도가 점점 감소하도록 농도 경사진 층인 것을 특징으로 함

최근 게시물

○ 기술개요 무선 네트워트를 이용하여 시설물이나 단말을 원격으로 모니터링하고 제어할 수 있는 기술 ○ 기술특징 기존 기술의 한계 종래 기술은 시설의 개별적 제어가 불가능해 히터가 동시에 켜지고 순간적으로 큰 돌입 전류가 흐르면서 과도한 전력이...

○ 기술개요 본 기술은 CAN 통신 시스템에서 보안 방법 및 장치에 관한 것으로, 데이터를 다수의 블록으로 분할 후 셔플링을 통해 암호화하는 데이터 보안 방법 및 장치에 관한 것임 ○ 기술특징 기존 기술의 한계 차량 시스템이 전자동화됨에 따라...

○ 기술개요 본 기술은 인지통신 시스템의 비활성 상태에서 주변 후방 산란 통신 시스템의 비트 오류율을 낮추고 데이터 전송율을 높일 수 있는 무선 주파수 송신 장치를 포함하는 주변 산란 통신 시스템 ○ 기술특징 기존 기술의 한계 무선 인지통신...