기술명 | 고효율 발광 다이오드 에피구조 |
기술보유기관 | 한국공학대학교 |
출원번호 | 10-20130038113(2013.04.08.) |
등록번호 | 10-1502780(2015.03.10.) |
기술완성도 | TRL 6 |
적용분야 | 위폐 감별기, 법의학, 치아미백, UV경화 및 코팅, 반도체 공정, 살균, 미소한 확학 물질 검출, 인간 게놈 분석, 심장 치료, 광촉매 살균 등 |
기술분야 | 재료 |
문의처 | 02-6274-5604 / khlee@isan.co.kr |
첨부파일 |
○ 기술개요
자외선 발광 다이오드의 에피구조에 따르면, 밴드 갭 에너지가 큰 AIGaN 등 금속전극과 오오믹 접촉이 되면서도 금속 전극과 접촉되는 층에서 자외선 흡수없이 투과량을 높여 광추출 효율을 향상
○ 기술특징
기존 기술 대비 특•장점
전압을 인가하기 위한 두 전극 사이에 순차 적층된, 질화물로 이루어진 n형 질화물층과 활성층, 및 p형 질화물층, 및 n형보다 불순물 농도가 높은 n+형 질화물층을 포함하며, 활성층은 베리어층과 양자 우물층이 한번 이상 반복 형성되며, p형 질화물층은 적층방향으로 AI이나 In 농도가 점점 감소하도록 농도 경사진 층인 것을 특징으로 함
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